的必要方式,然而研磨会导致芯片表面的完整性变差。因此,抛光的一致性、均匀性和表面粗糙度对生产芯片来说是十分重要的。
近日,第九届国际第三代&第二十届中国国际半导体照明论坛于厦门召开。期间,“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上,北京国瑞升科技集团股份有限公司高级工程师苑亚斐 做了“碳化硅衬底粗研磨和精研磨工艺及耗材技术”的主题报告并就公司研发的碳化硅衬底研磨抛光新工艺、新产品进行探讨交流。
第三代半导体材料,以碳化硅和氮化镓为代表,针对这两种材料的研磨和抛光,国瑞升可提供全套的产品和整体的解决方案,可向衬底客户提供化合物半导体粗磨液、精磨液、粗抛液和CMP抛光液;可向后道外延芯片背面减薄客户提供减薄耗材产品,以及匹配的粗抛垫和精抛垫。
报告指出,新工艺优化路线主要是提高效率、减少工序、保证表面效果。碳化硅衬底粗抛和精抛涉有的主要产品有:粗抛涉及氧化铝抛光液、金刚石抛光液、纳米金刚石抛光液,精抛涉及双组份抛光液、高效抛光液。SiC研磨抛光用相关耗材,涉及双面研磨用悬浮液,金刚石研磨液(单晶、类多晶、多晶),氧化铝粗抛液(酸性、碱性),双面研磨用悬浮剂,双组份精抛液,高效精抛液,CMP抛光液,固态蜡等。
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(SiC),俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不过,自1893 年以来,粉状
上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在
单晶具有优异的热、电性能,在高温、高频、大功率、抗辐射集成电子器件领域有着广泛的应用前景。
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